1》光罩顯影：
半導體基板上被光照射的區域會發生化學變化，
使其化學成分或是硬度和其他部分不同。
2》蝕刻：
在蝕刻的過程，硬度低的區域將消失，硬度高的區域將留下。透過這樣的過程，我們能將光罩上的電路圖形轉印到半導體材料上，製成積體電路。
3》光罩光源（EUV)
但是當電路尺寸小於半個光波波長時，
光波發生繞射現象，以致光罩圖形變形。
儘管使用再小的光罩，產生的電路圖形停滯在大約半個光波波長，無法再繼續縮小。
光罩顯影製程(Lithography) ：
就是讓光穿透光罩，把設計好的圖案映射在晶圓上面，
因此我們會希望光在穿透光罩的過程中不要產生繞射，而讓原本的圖案變形。
假如光在晶圓上繞射，將會得到變形的電晶體圖案 / Source: https://case.ntu.edu.tw/blog/?p=33519
--》
用光在晶圓上面刻出我們想要的圖案，而因為電晶體的尺寸不斷在微縮，到了近幾年10奈米以下的製程，就需要使用EUV來當作光的來源。
https://semiknow-official.medium.com/euv%E6%98%AF%E5%80%8B%E4%BB%80%E9%BA%BC%E9%85%B7%E6%9D%B1%E8%A5%BF-%E6%B1%BA%E5%AE%9A%E6%9C%AA%E4%BE%86%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%85%88%E9%80%B2%E8%A3%BD%E7%A8%8B%E7%9A%84%E9%97%9C%E9%8D%B5%E6%8A%80%E8%A1%93-1c322876b849
半導體製程的原理是「差異蝕刻」：半導體基板上被光照射的區域會發生化學變化，使其化學成分或是硬度和其他部分不同。
在蝕刻的過程，硬度低的區域將消失，硬度高的區域將留下。透過這樣的過程，我們能將光罩上的電路圖形轉印到半導體材料上，製成積體電路。
過去，只要將光罩的尺寸縮小，就能不斷縮小的積體電路。但是當電路尺寸小於半個光波波長時，光波發生繞射現象。儘管使用再小的光罩，產生的電路圖形停滯在大約半個光波波長，無法再繼續縮小。
2>光罩光源
https://case.ntu.edu.tw/blog/?p=33519
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