讀書心得

 

 EMBA11班代願景： 1》透過班上的活動，達到休閒、釋放壓力的目的        Ex:  2〉彼此活動，達到自利利他的訊息交流

 1》天虹科技 -主力產品PVD - 真空鍍膜機    PVD(physical vapor deposition) 2>北方華創公司 3》中微科技

 1》繞射： 導致光罩顯影失真 2〉EUV 光源（extreme ultra -violet)       先進製程用之(8nm)       因IC尺寸越來越小，即縫越來越小，        光波必需更小，才不會失真。       顯影才不會失真。       所以採用波長極短的紫光（EUV)       Extreme    Ultra-violet(紫光） 3> DUV 光源（deep ultra -violet)   深紫外光-目前成熟製程主力。（28nm)

 1》光罩顯影： 半導體基板上被光照射的區域會發生化學變化， 使其化學成分或是硬度和其他部分不同。 2》蝕刻： 在蝕刻的過程，硬度低的區域將消失，硬度高的區域將留下。 透過這樣的過程，我們能將光罩上的電路圖形轉印到半導體材料上， 製成積體電路。 3》光罩光源（EUV) 但是當電路尺寸小於半個光波波長時， 光波發生繞射現象，以致光罩圖形變形。 儘管使用再小的光罩，產生的電路圖形停滯在大約半個光波波長， 無法再繼續縮小。 光罩顯影製程(Lithography) ： 就是讓光穿透光罩，把設計好的圖案映射在晶圓上面， 因此我們會希望光在穿透光罩的過程中不要產生繞射， 而讓原本的圖案變形。 假如光在晶圓上繞射，將會得到變形的電晶體圖案 / Source:  https://case.ntu.edu. tw/blog/?p=33519 --》      用光在晶圓上面刻出我們想要的圖案， 而因為電晶體的尺寸不斷在微縮，到了近幾年10奈米以下的製程， 就需要使用EUV來當作光的來源。 https://semiknow-official. medium.com/euv%E6%98%AF%E5%80% 8B%E4%BB%80%E9%BA%BC%E9%85%B7% E6%9D%B1%E8%A5%BF-%E6%B1%BA% E5%AE%9A%E6%9C%AA%E4%BE%86%E5% 8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%85% 88%E9%80%B2%E8%A3%BD%E7%A8%8B% E7%9A%84%E9%97%9C%E9%8D%B5%E6% 8A%80%E8%A1%93-1c322876b849 半導體製程的原理是「差異蝕刻」： 半導體基板上被光照射的區域會發生化學變化， 使其化學成分或是硬度和其他部分不同。 在蝕刻的過程，硬度低的區域將消失，硬度高的區域將留下。 透過這樣的過程，我們能將光罩上的電路圖形轉印到半導體材料上， 製成積體電路。 過去，只要將光罩的尺寸縮小，就能不斷縮小的積體電路。 但是當電路尺寸小於半個光波波長時，光波發生繞射現象。 儘管使用再小的光罩，產生的電路圖形停滯在大約半個光波波長， 無法再繼續縮小。 2>光罩光源 https://case.ntu.edu.tw/blog/? p=335...

  －. EUV       DUV 二.設備廠家： 1》外商： ASML 2>台商： 漢民 、 天虹 3》中國：北方華創                   中微 4〉韓國： 三星 三. 目前台積電各國的佈局 台灣： 2-3奈米 美國： 3奈米 日本： 6-7奈米 中國： 12-28奈米