半導體產業技術 -2 EUV

 1》繞射: 導致光罩顯影失真




2〉EUV 光源(extreme ultra -violet)
      先進製程用之(8nm)
      因IC尺寸越來越小,即縫越來越小,
       光波必需更小,才不會失真。
      顯影才不會失真。
      所以採用波長極短的紫光(EUV)
      Extreme    Ultra-violet(紫光)

3>DUV 光源(deep ultra -violet)
  深紫外光-目前成熟製程主力。(28nm)






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